6N Boron for dopant
6n crystal boron for semiconductor dopant
Boron-Powder
Boron-Powder
Boron-Powder
Boron for semiconductoer dopant
high purity Boron for semiconductoer dopant
Boron Pellets package
crystal boron pellet packing
Boron-Powder package
6n crystal boron pellet
crystal boron pellet
crystal boron pellet pakcage

Гранулы кристаллического бора чистотой 6N для легирования полупроводников.

Кристаллический бор имеет β-ромбоэдрическую структуру и представляет собой наиболее стабильную аллотропную форму элементарного бора, известную на сегодняшний день. Он поставляется в виде серо-коричневого порошка (15–60 мкм) или гранул (1–10 мм) с чистотой от 2N до 6N. Он обладает выдающейся химической инертностью и превосходной стойкостью к окислению при комнатной температуре. С твердостью по шкале Мооса 9,3 — второй показатель после алмаза — и низкой плотностью всего 2,34 г/см³, он считается самым легким металлоидом. Его температура плавления достигает 2076 °C, что обеспечивает исключительную термическую стабильность. Он широко используется в легировании полупроводников, синтезе сверхтвердых материалов, специальных сплавах, аэрокосмической и военной промышленности.

ЗАПРОСИТЬ ИНФОРМАЦИЮ СЕЙЧАС

Не уверены, какой борсодержащий материал подходит для вашего процесса?
Независимо от того, нужен ли вам кристаллический бор 6N для легирования полупроводников, специально разработанные аморфные порошки бора для современных композитных материалов или h-BN для управления тепловыми процессами — наша команда технической поддержк
Поговорите с нашими специалистами по бору.

Гранулы кристаллического бора чистотой 6Nдля полупроводниковых легирующих примесей

 

 

Физические и химические свойства

Кристаллический бор,Номер дела 7440-42-8, Представляет собой серо-черный порошок с металлическим блеском, классифицируемый как атомно-кристаллический элементарный бор. Нерастворим в воде, этаноле и разбавленных кислотах, растворяется только в смесях концентрированной азотной и фтористоводородной кислот. Не реагирует со щелочами при комнатной температуре. При температурах выше 600 °C реагирует с кислородом, азотом, углеродом и другими элементами, проявляя восстановительные свойства, а также полупроводниковые характеристики: высокое удельное сопротивление при комнатной температуре и улучшенную электропроводность при высоких температурах.

 

Преимущества продукта

Компания BoronHub самостоятельно разработала производственный процесс для кристаллического бора, поставляя композитные формованные изделия β- и γ-типа с высокой степенью кристалличности и высокой химической стабильностью.

Стандартные характеристики включают порошок размером 15–60 мкм и гранулы размером 1–10 мм с чистотой от 2N до 6N (марки 4N–6N специально зарезервированы для легирования монокристаллического кремния в полупроводниковой промышленности).

Порошкообразные продукты упаковываются в вакуумные пакеты из алюминиевой фольги, а гранулы герметично хранятся в заполненных инертным газом бутылках из ПТФЭ. Срок годности составляет 12 месяцев, по запросу возможна индивидуальная настройка чистоты и размера частиц.

 

Спецификация предприятия по производству кристаллического бора

СимволСодержание витамина B (%)≥Содержание примесей (ppm)≤
FeAuAgCuSnMnCaAsPbWGe
BHCB6N99.99990,50,020,030,030,080,070,010,010,020,020,04
BHCB5N99.99980,020,030,030.10.10.10,080,080,050,05
BHCB4N99.99900,060.30.10.10.11.2 0.2  

Упаковка: Обычно продукт упаковывается в бутылки из политетрафторэтилена и герметизируется инертным газом, с указанием веса 50 г/100 г/бутылка;

 

Каковы конкретные области применения кристаллического бора?

 

I. Атомная промышленность

• Используется в качестве материала для регулирования реакции нейтронов в ядерных реакторах, позволяя контролировать скорость нейтронов и поддерживать стабильную работу реактора.

• Использует исключительную способность кристаллического бора поглощать нейтроны для эффективного снижения или регулирования потока нейтронов, обеспечивая безопасность ядерных энергетических систем.

 

II. Применение полупроводниковых технологий

• Легирующая примесь P-типа

Кристаллический бор, как элемент III группы, вводит акцепторные уровни в кремний и служит основной легирующей примесью для изготовления полупроводников P-типа. Благодаря процессам ионной имплантации или диффузии, точный контроль концентрации легирующей примеси позволяет формировать P-типовые ямы или подложки в таких устройствах, как диоды, полевые транзисторы (FET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

 

• Получение монокристаллического кремния P-типа

В процессе выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского (CZ) или методом зонной плавки (FZ) в расплав поликристаллического кремния высокой чистоты добавляют следовые количества высокочистого кристаллического бора. Используя эффект сегрегации бора в кремнии, получают монокристаллы кремния P-типа с контролируемым сопротивлением. Такие монокристаллы служат основными материалами подложки для дискретных устройств, аналоговых интегральных схем и силовых полупроводниковых приборов.

 

• Исходный материал для монокристаллов кремния, легированных бором.

Кристаллический бор, как чистый источник бора, может использоваться для получения монокристаллов кремния с заданной концентрацией бора путем солегирования в расплаве. По сравнению с другими источниками бора (например, бораном, трибромидом бора), кристаллический бор обладает превосходной стабильностью чистоты и равномерностью легирования, что делает его подходящим для удовлетворения индивидуальных требований к подложкам в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как детекторы и высоковольтные силовые чипы.

 

• Требования к чистоте

Для обеспечения точных профилей легирования и высокой производительности устройств кристаллический бор должен соответствовать требованиям полупроводниковой чистоты (обычно ≥99,9999%, т.е. 6N или выше). Содержание металлических примесей (например, Fe, Cu, Na) должно контролироваться на уровне частей на миллиард (ppb), при этом должны быть строгие ограничения на содержание примесей легких элементов, таких как углерод и кислород. Как и в случае с легирующими примесями N-типа, включая фосфор, сурьму и мышьяк, кристаллический бор и его контактная среда с кремнием должны обрабатываться в условиях сверхчистоты.

 

III. Оптика

• Использует свои выдающиеся нелинейные оптические свойства для достижения таких функций, как модуляция света, изменение частоты и удвоение частоты.

• Применяется в производстве оптических устройств, таких как оптические модуляторы, оптические частотные гребенки и лазеры.

• Служит в качестве активной среды для инфракрасных лазеров, обладая большим сечением излучения и широким спектральным диапазоном возбуждения.

 

IV. Материалы высокой твердости

• Используется в производстве карбида бора (B₄C), сверхтвердого керамического материала с превосходной износостойкостью и высокотемпературной стабильностью, широко применяемого в бронежилетах, твердых инструментах, абразивах и износостойкой керамике.

• Используется в производстве графитсодержащих соединений бора (B₉), которые обладают графитоподобной структурой, высокой электропроводностью и термической стабильностью, пригодны для высокоэффективных проводящих связующих, материалов для терморегулирования и фрикционных материалов.

 

V. Военная и аэрокосмическая промышленность

• Высокочистые борсодержащие керамические баллистические материалы

• Высокочистые борсодержащие замедлители

• Сварочные агенты на основе бора высокой чистоты

• Взрывчатые вещества на основе бора высокой чистоты

• Высокочистые борсодержащие ракетные топлива с избытком топлива и недостатком кислорода

 

VI. Сплавы и металлургия

• Высокочистые бор-медные сплавы

• Высокочистые бор-титановые сплавы

· Высокочистый поликристаллический алмаз, легированный бором

• Высокочистый бор, сверхтвердые, износостойкие инструменты

• Высокочистые коррозионностойкие стальные пластины из бора

• Высокочистые бор-никелевые сплавы

• Высокочистые бор-хромовые сплавы

• Литий-борные сплавы (для материалов батарей следующего поколения)

• Сверхпроводящие сплавы бора и магния

 

VII. Поверхностные покрытия (нанопорошковые материалы)

• Высокочистые порошковые нанопокрытия из бора наносятся на поверхности подложек методом магнетронного распыления, придавая компонентам следующие свойства:

Износостойкость

o Коррозионная стойкость

o Высокотемпературная стойкость

Устойчивость к окислению

Устойчивость к старению

• Соответствует экстремальным эксплуатационным требованиям авиационных двигателей и других суровых условий эксплуатации (например, оптоэлектронные, магнитные свойства).

 

Наша компания торжественно обязуется следующее:

Мы не будем проводить исследования и разработки, заниматься индивидуальной настройкой, производством, торговлей или экспортом порошка элементарного бора, отвечающего обоим критериям, указанным ниже:

1. Размер частиц менее 500 микрометров (независимо от морфологии частиц);

 

2. Содержание бора ≥ 97% по весу.

Порошок бора, соответствующий данной спецификации, может служить сырьем для твердых ракетных топлив и военных энергетических материалов и подпадает под действие правил экспортного контроля Китая.

 

Все наши зарубежные клиенты обязаны предоставить письменный сертификат конечного пользователя (EUC). Сертификат должен содержать полную информацию о конечном пользователе и фактическом назначении товара, а также включать следующие обязательства: товар не должен использоваться на ядерных объектах, в военных целях или для производства какого-либо оружия; перепродажа, передача или реэкспорт товара третьим лицам запрещены без предварительного письменного разрешения Министерства коммерции Китайской Народной Республики.

 

Наша компания будет хранить все документы по соглашениям о купле-продаже ценных бумаг (EUC) в полном объеме и проводить постоянную проверку рисков. В случае нарушения какой-либо из сторон вышеуказанных обязательств, мы немедленно прекратим любое сотрудничество и сообщим об этом соответствующим регулирующим органам.

 

 

Оставить сообщение
Интересуетесь нашими материалами на основе бора? Пожалуйста, оставьте сообщение с вашими требованиями — наша команда технической поддержки ответит вам в течение 24 часов.