Обогащенный трифторид бора-11(¹¹BF₃) с содержанием ¹¹B ≥99,9% и чистотой ≥99,999%. Номер CAS: 20654-88-0

Обогащенный трифторид бора-11(¹¹BF₃) с содержанием ¹¹B ≥99,9% и чистотой ≥99,999%. Номер CAS: 20654-88-0

¹¹БФ₃ ¹¹B входит в число наиболее важных легирующих газов p-типа для ионной имплантации полупроводников. Благодаря почти нулевому поглощению нейтронов ¹¹B, он обеспечивает точный контроль легирования во время имплантации, повышая проводимость и радиационную стойкость полупроводниковых компонентов. Ключевые характеристики примесей: обогащение ¹¹B ≥99,9%, чистота ≥99,999%, N₂ ≤15 ppmv, O₂/Ar ≤15 ppmv, CO₂ ≤15 ppmv, SO₂ ≤15 ppmv, HF ≤15 ppmv, SiF₄ ≤15 ppmv.

¹¹BF₃ от BoronHub разливается в высокочистые стальные цилиндры с настраиваемыми степенями чистоты и обогащения. Все производственное оборудование полностью изготовлено внутри страны, что обеспечивает независимую запатентованную технологию и стабильную, надежную цепочку поставок.

Технические характеристики обогащенного трифторида бора-11 (¹¹BF₃)

Изотопная распространенность ¹¹B: ≥99,9% Чистота: ≥99,999%

Предельные значения концентрации примесей (единица измерения: ppmv): N₂ ≤15, O₂/Ar ≤15, CO₂ ≤15, SO₂ ≤15, HF ≤15, SiF₄ ≤15

Упаковка

Поставляется в стальных баллонах (для получения подробных технических характеристик баллонов и информации об упаковке обратитесь к нашему торговому представителю).

Примечание: По запросу возможна индивидуальная настройка чистоты, изотопного состава и характеристик упаковки.

Какие отрасли применения существуют? Обогащенный трифторид бора-11(¹¹BF₃)?

*Производство полупроводников: Специальный электронный газ для высокопроизводительных микросхем, дисплейных панелей и других полупроводниковых изделий.

 

*Фотоэлектрическая промышленность: процессы легирования для производства солнечных элементов

 

*Химические и передовые материалы: синтез диборана, трихлорида бора и других химических сырьевых материалов, а также изготовление заготовок для оптического волокна.

 

Каковы подробные функции...Обогащенный трифторид бора-11(¹¹BF₃)?

P-тип легирующей примеси для ионной имплантации

Являясь наиболее важным легирующим газом p-типа для ионной имплантации полупроводников, он используется в производстве микросхем с передовыми технологиями, размер которых не превышает 3 нм. Он эффективно подавляет переворачивание битов памяти и значительно повышает радиационную стойкость и эксплуатационную надежность микросхем.

Диффузионные и окислительные процессы

Этот метод применяется на различных этапах производства полупроводников, включая легирование, оксидную диффузию, плазменное травление и эпитаксиальный рост кремния/германия.

 

Улучшение выхода годных изделий и производительности микросхем

Высокообогащенный и высокочистый ¹¹BF₃ — незаменимый специальный газ для производства высокотехнологичных микросхем. Его изотопный состав и химическая чистота напрямую определяют выход годных пластин и характеристики готовых микросхем.

Процессы травления

Сверхчистый ¹¹BF₃ повышает селективность травления и однородность процесса.