Изотоп бора-11 с естественным содержанием 80,22%, номер CAS 14798-13-1

Изотоп бора-11Природное содержание 80,22%. Кас. № 14798-13-1

При незначительном поглощении нейтронов, ¹¹Б Действует как p-типовая легирующая примесь, точно регулируя электрическую проводимость полупроводниковых приборов и повышая их радиационную стойкость и помехоустойчивость. BoronHub предлагает продукты на основе ¹¹B с гибко регулируемым изотопным обогащением для удовлетворения различных требований к точности легирования в рамках различных технологических процессов производства полупроводников. Герметичная упаковка, заполненная инертным газом высокой чистоты, гарантирует химическую стабильность и стабильное качество партий. Наша полностью самодостаточная цепочка поставок обеспечивает стабильные поставки от исследовательских партий до промышленного массового производства, обслуживая чипы для передовых технологических процессов, дисплейные панели и исследования и разработки квантовых чипов.

Спецификация предприятия «Изотоп¹¹B»

Упаковка: упаковано в бутылку из политетрафторэтилена, заполненную защитным инертным газом, 50 г/бутылка;

Каковы профессиональные области применения и сферы использования? Бор-11 (¹¹B)?

Бор-11 (¹¹B) — стабильный тяжелый изотоп бора с естественным содержанием 80,22%. Характеризуется прозрачностью для нейтронов, отсутствием радиационной активации, сверхвысокой чистотой и превосходной однородностью, что делает его незаменимым сырьевым материалом для высокотехнологичных полупроводников и перспективных электронных материалов.

I. Основная область применения: производство полупроводников и интегральных схем.

1. Легирующая примесь p-типа для материалов на основе кремния (основное применение)

Выступает в качестве источника легирования P-типа высокой чистоты для ионной имплантации и высокотемпературных диффузионных процессов на кремниевых пластинах, эпитаксиальных пластинах и пластинах SOI.

Оптимизирует расположение ионов в кремниевых решетках для улучшения однородности проводимости, напряжения пробоя и структурной стабильности полупроводниковых материалов.

2. Изготовление высококачественных чипов и микроустройств

Применяется к логическим микросхемам, микросхемам памяти и микросенсорам, изготовленным по технологическим процессам 7 нм, 5 нм и ниже.

Обеспечивает стабильное массовое производство интегральных схем высокой плотности, MEMS-устройств и силовых приборов.

 

3. Радиационно-стойкие полупроводниковые приборы

Значительно повышает устойчивость микросхем к нейтронному облучению и воздействию космических лучей, снижая риск отказов, вызванных радиацией.

Широко применяется в аэрокосмических полупроводниках, микросхемах военного назначения и высоконадежных автомобильных интегральных схемах.

4. Источники диффузии полупроводников и прекурсоры эпитаксии

Используется для синтеза высокочистых газообразных диффузионных источников и эпитаксиальных прекурсоров легирования, таких как BCl₃ и BBr₃.

Обеспечивает точную и контролируемую концентрацию легирующих примесей в соответствии со стандартами технологических процессов, применяемыми на предприятиях по производству высококачественных кремниевых пластин.

II. Расширенные области применения в высокотехнологичном сегменте

1. Силовые полупроводники / IGBT / силовые модули: Повышают стабильность при высоких температурах и выдерживают высокое напряжение в электромобилях, фотоэлектрических инверторах и промышленных источниках питания.

2. Радиочастотные и аналоговые чипы: снижают уровень шума и повышают стабильность сигнала для базовых станций связи, спутниковых терминалов и высокоточных приборов.

 

3. Оптоэлектронные компоненты и детекторы: Оптимизирует подавление темнового тока и обеспечивает долговременную надежность работы датчиков изображения и интегральных схем драйверов лазеров.

4. Передовые материалы для упаковки и подложек: Служит легирующим элементом для модификации подложек полупроводников третьего поколения, включая карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).

III. Основные преимущества продукции UrbanMines на основе бора-11

Кристаллическая форма: кубическая β-ромбоэдрическая кристаллическая структура с высокой плотностью и минимальным количеством примесей.

Чистота: Сверхвысокая чистота полупроводникового класса с контролируемым содержанием металлических примесей на уровне частей на миллиард (ppb).

Изотопный состав: Доступны настраиваемые значения, включая естественный состав (80,22%) и высокообогащенный бор-11.

Совместимость: Равномерное легирование, легко связывается с кремнием и металлами; отсутствие агломерации частиц и помех от нейтронного излучения.

Позиционирование продукта: важнейший сырьевой материал для микросхем, созданных на основе передовых технологических процессов, высоконадежных полупроводников и радиационно-стойких электронных устройств.